| Identifier
|
630 |
|
ชื่อเรื่อง |
MODELISATION NUMERIQUE PAR LA METHODE DES ELEMENTS FINIS D’UN PHOTOCONDUCTEUR A CAVITE SUBMICRONIQUE
|
|
ผู้สร้างผลงาน |
DJAMIL, RECHEM
|
|
ผู้สร้างผลงาน |
KAKI, AAIT
|
|
ผู้สร้างผลงาน |
BEN LATRECHE, MS
|
|
ผู้สร้างผลงาน |
BOUCHEMAT, M.
|
|
ผู้สร้างผลงาน |
LAVAL, S.
|
|
Description |
Ce travail présente l’étude du fonctionnement dynamique des dispositifs pour la commutation optique dans ledomaine des impulsions de quelque nanosecondes. Ces dispositifs sont constitués d’un guide d’onde non linéaireen silicium sur saphir, avec coupleur à réseau de diffraction.Le principe de fonctionnement de ce dispositif repose sur une création importante des porteurs par absorption del’onde guidée, il doit recevoir donc le maximum de lumière, pour cela le couplage par réseau doit être efficace.Pour cela nous avons modélisé le comportement de ce dispositif en régime dynamique (en tout optique), par laméthode des éléments finis, en tenant compte de la variation de l’indice de réfraction avec la densité des porteursen excès, et de l’effet de l’élévation de la température résultant de recombinaisons des porteurs.Nous avons ainsi expliqué l’existence de deux commutations (l’une d’origine électronique et l’autre d’originethermique) sur les intensités absorbées ou transmises. This work presents the study of the dynamic working of devices for the optic commutation in the domain ofimpulses of some nanoseconds. These devices are constituted of a wave guide no linear in silicon on sapphire,with coupler to system of diffraction.The principle of workings of this device reclines on a creation important of carriers by absorption of the waveguided, it must receive the maximum of light therefore, for it the coupling by system must be efficient.We are presented the model of this device in dynamic regime (in all optic), by the finite element method, whileholding amount of the variation of the refraction indication with the density of carriers in excess, and the effectof the elevation of the temperature results recombination of carriers.We have explains the existence of two commutations thus (one of electronic origin and the thermal origin other)on the absorbed intensities either transmitted.
|
|
Publisher |
Université de Biskra
|
|
Contributor |
université de Biskra
|
|
วันที่ |
2014-04-14
|
|
ประเภท |
info:eu-repo/semantics/article
|
|
ประเภท |
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
|
|
ประเภท |
Article évalué par les pairs
|
|
รูปแบบ |
application/pdf
|
|
Identifier |
http://revues.univ-biskra.dz/index.php/cds/article/view/197
|
|
แหล่งข้อมูล |
Courrier du Savoir; Vol. 2 (2002): Courrier du Savoir
|
|
แหล่งข้อมูล |
Courrier du Savoir; Vol. 2 (2002): Courrier du Savoir
|
|
แหล่งข้อมูล |
1112-3338
|
|
แหล่งข้อมูล |
1112-3338
|
|
ภาษา |
fra
|
|
Relation |
http://revues.univ-biskra.dz/index.php/cds/article/view/197/189
|
แสดงรายละเอียดบรรณานุกรม
QR code
กลับ
Copyright 2025. All Rights Reserved.