| Identifier
|
706 |
|
ชื่อเรื่อง |
SIMULATION OF THE PRE- AND POST-TRANSIT TIME OF FLIGHT METHODS IN AMORPHOUS SILICON-LIKE. N+-I-P+ -CELLS SIMULATION DES METHODES DE PRE- ET POST-TRANSIT DE LA TECHNIQUE TEMPS DE VOL POUR LES CELLULES N+-I-P+ EN MATERIAU DE TYPE a-Si:H.
|
|
ผู้สร้างผลงาน |
MEFTAH, AM.
|
|
ผู้สร้างผลงาน |
MEFTAH, AF.
|
|
ผู้สร้างผลงาน |
MERAZGA, A.
|
|
Description |
In this paper, we study, by numerical simulation, the Transient Photocurrent (TPC) resulting from the application of the 'TimeOf Flight' (TOF) technique to a-Si:H n+-i-p+ cell by using a typical Density Of States (DOS) of amorphous silicon. The preandpost-transit methods, currently used to probe the energy distribution of localised states, are then applied to reconstruct theproposed DOS from the simulated TPC. We demonstrate that the two methods of reconstruction are complementary andprovide an efficient tool of determining the transit time.
|
|
Publisher |
Université de Biskra
|
|
Contributor |
université de Biskra
|
|
วันที่ |
2014-04-16
|
|
ประเภท |
info:eu-repo/semantics/article
|
|
ประเภท |
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
|
|
ประเภท |
Article évalué par les pairs
|
|
รูปแบบ |
application/pdf
|
|
Identifier |
http://revues.univ-biskra.dz/index.php/cds/article/view/219
|
|
แหล่งข้อมูล |
Courrier du Savoir; Vol. 3 (2003): Courrier du Savoir
|
|
แหล่งข้อมูล |
Courrier du Savoir; Vol. 3 (2003): Courrier du Savoir
|
|
แหล่งข้อมูล |
1112-3338
|
|
แหล่งข้อมูล |
1112-3338
|
|
ภาษา |
fra
|
|
Relation |
http://revues.univ-biskra.dz/index.php/cds/article/view/219/204
|
แสดงรายละเอียดบรรณานุกรม
QR code
กลับ
Copyright 2025. All Rights Reserved.