เครือข่ายความร่วมมือแหล่งสารสนเทศกับสำนักวิทยบริการ
มหาวิทยาลัยมหาสารคาม (Colib.msu.ac.th)
เปลี่ยนเป็นภาษาไทย

Change to English
 แสดงรายละเอียดบรรณานุกรม
  กลับหน้าหลัก

QR code กลับ
  Identifier 706
  ชื่อเรื่อง SIMULATION OF THE PRE- AND POST-TRANSIT TIME OF FLIGHT METHODS IN AMORPHOUS SILICON-LIKE. N+-I-P+ -CELLS SIMULATION DES METHODES DE PRE- ET POST-TRANSIT DE LA TECHNIQUE TEMPS DE VOL POUR LES CELLULES N+-I-P+ EN MATERIAU DE TYPE a-Si:H.
  ผู้สร้างผลงาน MEFTAH, AM.
  ผู้สร้างผลงาน MEFTAH, AF.
  ผู้สร้างผลงาน MERAZGA, A.
  Description In this paper, we study, by numerical simulation, the Transient Photocurrent (TPC) resulting from the application of the 'TimeOf Flight' (TOF) technique to a-Si:H n+-i-p+ cell by using a typical Density Of States (DOS) of amorphous silicon. The preandpost-transit methods, currently used to probe the energy distribution of localised states, are then applied to reconstruct theproposed DOS from the simulated TPC. We demonstrate that the two methods of reconstruction are complementary andprovide an efficient tool of determining the transit time.
  Publisher Université de Biskra
  Contributor université de Biskra
  วันที่ 2014-04-16
  ประเภท info:eu-repo/semantics/article
  ประเภท info:eu-repo/semantics/publishedVersion
  ประเภท Article évalué par les pairs
  รูปแบบ application/pdf
  Identifier http://revues.univ-biskra.dz/index.php/cds/article/view/219
  แหล่งข้อมูล Courrier du Savoir; Vol. 3 (2003): Courrier du Savoir
  แหล่งข้อมูล Courrier du Savoir; Vol. 3 (2003): Courrier du Savoir
  แหล่งข้อมูล 1112-3338
  แหล่งข้อมูล 1112-3338
  ภาษา fra
  Relation http://revues.univ-biskra.dz/index.php/cds/article/view/219/204
Repository Information
repositoryName: Courrier du Savoir
baseURL: http://revues.univ-biskra.dz/index.php/cds/oai
adminEmail: courrierdusavoir@univ-biskra.dz
source

 
 
 

 Union Library Management : ULibM
Copyright 2025. All Rights Reserved.