เครือข่ายความร่วมมือแหล่งสารสนเทศกับสำนักวิทยบริการ
มหาวิทยาลัยมหาสารคาม (Colib.msu.ac.th)
เปลี่ยนเป็นภาษาไทย

Change to English
 แสดงรายละเอียดบรรณานุกรม
  กลับหน้าหลัก

QR code กลับ
  Identifier 768
  ชื่อเรื่อง SMALL-SIGNAL MODELING OF PHEMTS AND ANALYSIS OF THEIR MICROWAVE PERFORMANCE
  ผู้สร้างผลงาน HEMAIZIA, Z.
  ผู้สร้างผลงาน SENGOUGA, N.
  ผู้สร้างผลงาน MISSOUS, M.
  หัวเรื่อง small signal modelling; pHEMT; extraction.
  Description Accurate extraction of the small-signal equivalent circuit elements of pseudomorphic high electron mobility transistors (pHEMT) is crucial for the design of microwave analog circuits such as low noise amplifiers (LNAs). This paper presents a direct analytical extraction procedure. Its efficiency is demonstrated on two different 1μm gate-length novel high breakdown InGaAs/InAlAs pHEMTs: one is grown on a GaAs while the other is on an InP substrate.
  Publisher Université de Biskra
  Contributor université de biskra
  วันที่ 2014-05-12
  ประเภท info:eu-repo/semantics/article
  ประเภท info:eu-repo/semantics/publishedVersion
  ประเภท Article évalué par les pairs
  รูปแบบ application/pdf
  Identifier http://revues.univ-biskra.dz/index.php/cds/article/view/481
  แหล่งข้อมูล Courrier du Savoir; Vol. 10 (2010): Courrier du Savoir
  แหล่งข้อมูล Courrier du Savoir; Vol. 10 (2010): Courrier du Savoir
  แหล่งข้อมูล 1112-3338
  แหล่งข้อมูล 1112-3338
  ภาษา fra
  Relation http://revues.univ-biskra.dz/index.php/cds/article/view/481/448
Repository Information
repositoryName: Courrier du Savoir
baseURL: http://revues.univ-biskra.dz/index.php/cds/oai
adminEmail: courrierdusavoir@univ-biskra.dz
source

 
 
 

 Union Library Management : ULibM
Copyright 2025. All Rights Reserved.