Identifier
|
768 |
ชื่อเรื่อง |
SMALL-SIGNAL MODELING OF PHEMTS AND ANALYSIS OF THEIR MICROWAVE PERFORMANCE
|
ผู้สร้างผลงาน |
HEMAIZIA, Z.
|
ผู้สร้างผลงาน |
SENGOUGA, N.
|
ผู้สร้างผลงาน |
MISSOUS, M.
|
หัวเรื่อง |
small signal modelling; pHEMT; extraction.
|
Description |
Accurate extraction of the small-signal equivalent circuit elements of pseudomorphic high electron mobility transistors (pHEMT) is crucial for the design of microwave analog circuits such as low noise amplifiers (LNAs). This paper presents a direct analytical extraction procedure. Its efficiency is demonstrated on two different 1μm gate-length novel high breakdown InGaAs/InAlAs pHEMTs: one is grown on a GaAs while the other is on an InP substrate.
|
Publisher |
Université de Biskra
|
Contributor |
université de biskra
|
วันที่ |
2014-05-12
|
ประเภท |
info:eu-repo/semantics/article
|
ประเภท |
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
|
ประเภท |
Article évalué par les pairs
|
รูปแบบ |
application/pdf
|
Identifier |
http://revues.univ-biskra.dz/index.php/cds/article/view/481
|
แหล่งข้อมูล |
Courrier du Savoir; Vol. 10 (2010): Courrier du Savoir
|
แหล่งข้อมูล |
Courrier du Savoir; Vol. 10 (2010): Courrier du Savoir
|
แหล่งข้อมูล |
1112-3338
|
แหล่งข้อมูล |
1112-3338
|
ภาษา |
fra
|
Relation |
http://revues.univ-biskra.dz/index.php/cds/article/view/481/448
|